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  公司核心产品和主要收入来源为碳化硅衬底。根据中国证监会发布的《上市公司行业分类指引（2012年修订）》，公司所处行业为“计算机、通信和其他电子设备制造业（分类代码：C39）”。根据国家统计局《国民经济行业分类》（GB/T4754-2017），公司所处行业为第39大类“计算机、通信和其他电子设备制造业”之第398中类“电子元件及电子专用材料制造”。根据国家统计局发布的《战略性新兴起的产业分类（2018）》分类，公司的产品属于“1.2.3高储能和关键电子材料制造”和“3.4.3.1半导体晶体制造”，是国家重点鼓励、扶持的战略性新兴产业。

  公司是一家国内领先的宽禁带半导体材料生产商，目前主要是做碳化硅半导体材料的研发、生产和销售，产品可大范围的应用于微波电子、电力电子等领域。宽禁带半导体材料在5G通信、新能源汽车、储能等领域具有明确且可观的未来市场发展的潜力，是半导体产业重要的发展方向。

  公司已经实现6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等产品的规模化供应。公司高品质6英寸产品已经获得行业下游客户的广泛认可。报告期内公司营业收入大多数来源于于6英寸导电型产品销售。

  公司与国内外知名客户开展合作。报告期内，公司高品质碳化硅衬底获得国际客户的认可，产品加速“出海”。公司已与英飞凌、博世等行业下游电力电子、汽车电子领域的国内外有名的公司开展了广泛合作，有助于一同推动碳化硅材料和器件的渗透应用。

  在8英寸产品布局上，公司具备量产8英寸产品能力，报告期内已开展客户送样验证，并实现了小批量销售，预期产销规模将持续扩大。

  公司积极优化产能布局。目前已形成山东济南、上海临港（600848）、山东济宁碳化硅半导体材料生产基地。自去年以来，公司加大了导电型产品的产能产量，2023年5月新建的上海临港智慧工厂开启了产品交付，目前正处于产量的持续爬坡阶段。根据目前公司在手订单及合作客户的真实需求情况预计，临港工厂第一阶段年30万片导电型衬底的产能产量将提前实现，上海临港工厂将成为公司导电型碳化硅衬底主要生产基地。

  公司正规划继续通过技术提升和增加资本投入以进一步提升临港工厂产能产量。公司在日本设立研发及销售中心，积极开拓海外市场。目前海外市场对公司产品的需求旺盛。

  公司设有碳化硅半导体材料研发技术国家地方联合工程研究中心、国家级博士后科研工作站、山东省碳化硅材料重点实验室等国家和省级研发平台，拥有一批高素质的研发人员，承担了一系列国家和省部级研发和产业化项目。

  截至报告期末，公司及下属子公司累计获得境内发明专利授权152项，实用新型专利授权324项，境外发明专利授权12项，是国家知识产权示范企业；自设立以来，公司获得了国家制造业单项冠军等多项国家级和省级荣誉，并于2019年获得了“国家科学技术进步一等奖”。

  公司生产的碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，开发出更适应高压、高温、高功率、高频等条件的新一代半导体器件。全球宽禁带半导体材料及器件正处于加快速度进行发展期，产品大范围的应用于5G通信、轨道交通、新能源汽车及充电桩、新能源、储能、大数据中心、工控等下游领域，应用领域非常广泛。

  在“碳达峰、碳中和”的大背景下，绿色电力、储能、电动汽车等新能源行业迅猛发展，电气化和能源的高效利用推动碳化硅半导体行业快速发展。

  公司专注于碳化硅衬底材料的研发、生产及销售，主要通过向碳化硅半导体行业的下游企业、科研院所等客户销售碳化硅衬底产品实现收入和利润。此外，公司还销售生产和研发过程中产生的无法达到半导体级要求的晶棒。

  公司研发工作由研发中心主导，实行层级管理的项目制运作，最重要的包含需求提交与论证、项目立项、项目执行、项目验收等各个环节。

  公司采购以“安全、品质”为导向建立了采购相关制度、管理流程及业务规范，在保证产品的质量的前提下，有效保证了供应链的稳定及持续供应。总体上，公司采取“以产定购、战略备货”相结合的采购模式，采购种类包括长晶所需物料、加工所需耗材、生产及检测设备、备品备件等。

  公司实行以订单生产（Make To Order）为主的生产模式。在生产环节，公司采用信息化系统，制定了完善的生产的全部过程控制程序，建立了一套快速有效处理客户订单的流程，销售部门依照客户订单生成ERP系统内部销售订单，订单经销售、技术、质量、生产计划部门评审后，下达生产工单给生产部门，生产部门依据生产工单领料并进行生产。质量部进行全过程品质控制，达到“不接收、不制造、不流出”不良品的目的。公司生产模式有利于满足多种客户的需求，有利于提升订单按时交付率、产品的质量一致性和客户满意程度，并有助于控制库存水平及提高资金利用效率。

  公司主营业务采取直销的销售模式。公司营销中心主要负责对接客户，为客户提供技术上的支持和服务，并承担行业趋势研究、市场调查与研究及公司产品推广等营销工作。

  公司建有“碳化硅半导体材料研发技术”国家地方联合工程研究中心、国家博士后科研工作站，先后承担国家“核高基”重大专项等多项国家级研发与产业化项目。截至2023年6月末，公司及下属子公司累计获得境内发明专利授权152项，实用新型专利授权324项，境外发明专利授权12项。公司于2019年获得国家科学技术进步一等奖，2020年获得国家级专精特新“小巨人”企业认定，2021年获得制造业单项冠军示范企业认定等。

  公司将始终以客户为中心，不断加大研发投入、强化自主创新、加快产品迭代、提升产品质量、增加产能、扩大市场占有率，致力于成为国际著名的半导体材料公司。

  公司已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等各类核心技术。详细情况如下：

  公司的碳化硅单晶生长设备采用真空系统结构和材料设计，可在保持极高真空度的同时保持极低的高温真空漏率，保证了高纯碳化硅粉料和碳化硅单晶生长腔室的纯度。此外，公司对设备自动化程度进行不断的提高，与晶体生长控制软件系统结合，能轻松实现晶体生长前的上料、封炉自动化控制，并可实现晶体生长过程中的炉温、真空度、气体流量等全参数实时监控，保证了晶体生长过程的稳定性和可控性。

  碳化硅单晶生长热场是碳化硅单晶生长的核心，决定了单晶生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。公司的热场仿真模拟团队，利用专业碳化硅热场仿真软件进行热场设计，可针对不一样类型、不同尺寸的碳化硅单晶进行精确的热场仿真、模拟和设计，从而满足不同尺寸、不一样晶体的生长技术需求。

  碳化硅粉料是碳化硅单晶生长的原料。由于合成环境及使用物料吸附杂质的影响，合成的碳化硅粉料中不可避免地引入较多杂质，直接影响晶体的纯度和电学性能。公司研制了高真空度的粉料反应腔室，使用了高纯度的石墨材料，设计了特殊反应工艺，从而获得了极高纯度碳化硅粉料颗粒，将粉料中主要电活性杂质浓度控制在0.05ppm以下。此外，经过破碎筛分和自研的清洗工艺后，能够得到不同粒度的粉料，从而保障了高质量碳化硅晶体的制备。

  半导体电学性能取决于半导体材料中杂质的类型和浓度。为实现半绝缘型碳化硅衬底高阻电学特性，需要将晶体中的杂质浓度控制在极低的水平；为实现导电型碳化硅衬底低阻电学特性，则需要向晶体中引入高浓度的氮元素。因此，碳化硅单晶电学性能的控制是基于精准的控制生长过程中进入到晶体中的杂质来实现的。

  公司基于自主研制的高真空度单晶生长腔室和高纯度碳化硅粉料，进一步开发了晶体生长过程中的原位提纯技术和晶体生长界面的C/Si组分控制技术，大大降低了晶体中的杂质浓度并实现了对点缺陷种类和浓度的控制，实现了半绝缘碳化硅衬底的高阻电学特性和导电型碳化硅衬底均匀稳定的低阻电学特性。

  碳化硅中的缺陷包括微管、多型夹杂、位错等。微管是尺寸为几微米到数十微米的贯穿型缺陷，是器件的杀手型缺陷；碳化硅包含200多种晶型结构，其中多种晶型结构间的形成能接近，在高温生长过程中易产生晶型转化，因此导致多型夹杂；碳化硅单晶生长热场中存在的温度梯度导致的热应力、生长过程中的温度、组分等波动也容易引入位错等缺陷，进而影响后续外延和器件的质量和性能。

  公司通过设计晶体成核工艺，控制籽晶界面处的均匀有序成核，实现了单一4H晶型和低微管密度的晶体生长；通过热场结构和晶体生长腔室结构的设计，实现了高均匀性的晶体生长热场，大大降低了晶体生长内应力和位错等诱生缺陷，提高了晶体结晶质量；自主研发了晶体生长界面移位控制技术和生长界面C/Si组分调控技术，实现了晶体连续生长的质量稳定可控。

  单晶SiC材料的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，而且脆性高，属于典型的硬脆材料。公司开发了多块拼接多线切割技术，解决了相邻碳化硅晶体之间切割质量差的难题，一批次可实现多块晶体的切割；设计了独有的碳化硅晶体切削液配方，大幅度降低了切割片的表面损伤；开发了一整套的多线切割工艺，每项参数均计算出最优的工艺曲线，提高了切割片的面型质量。

  由于碳化硅单晶材料的物理性质和化学性质均很稳定，使用传统半导体的磨抛方式效率极低，且很难保证表面加工质量。

  公司通过多年研究，研发了一整套的碳化硅磨抛工艺，最终能够得到光滑且高度平坦的碳化硅抛光表面。例如，双端面研磨工艺中，公司自主设计了研磨液配方、研磨盘面和夹具模型、磨片修盘工艺；多级机械抛光工艺中，公司设计了金刚石磨料和多级抛光组合工艺；强氧化化学机械抛光（CMP）工艺中，公司开发了特有的强氧化性的抛光液配方。

  CMP工艺后需要对碳化硅衬底进行最终清洗，去除表面微米级颗粒、沾污、金属离子等。公司自主研制了化学洗涤液，开发了5步清洗工艺，可有效去除衬底表面的微小颗粒，在客户端达到了开盒即用的水平。

  报告期内，新申请发明专利和实用新型专利共15项，其中发明专利12项，实用新型3项。

  截至报告期末，公司及下属子公司累计获得境内发明专利授权152项，实用新型专利授权324项，境外发明专利授权12项。

  目前，碳化硅半导体产业链发展进入快车道，衬备是产业链的关键环节，公司为继续保持在全球技术和产品竞争中的一马当先的优势，加强研发投入，包括8英寸导电型产品产业化研发，液相法等前瞻研发技术，大尺寸半绝缘产品研制，以及高品质导电型产品的持续研发投入等。

  报告期内，公司坚持落实长远发展的策略，面对电动汽车、新能源、储能等下游应用领域对碳化硅半导体材料需求的爆发式增长，以高质量产品完成客户订单交付，坚持加大前瞻性技术投入，加快产品产能提升和结构优化，加强产业人才、研发人才的储备和培养，为公司进入新的发展阶段奠定基础。

  伴随着全球及国内在新能源汽车、新能源发电和储能等终端市场需求的迅速增加，行业对碳化硅衬底需求呈现出持续旺盛的趋势。在此背景下，公司加快上海临港新工厂产能建设，逐步加大导电型衬底产能产量。

  2023年1-6月，公司实现归属于上市公司股东的净利润-7,205.57万元，较上年同期增加1.29%，经营亏损主要因研发投入加大、人才储备增加等因素综合影响。

  报告期内，公司持续加大客户拓展力度，与国内外知名客户开展战略合作，特别是公司与英飞凌、博世等下游电力电子、汽车电子领域的国际有名的公司合作，为公司未来的销售增长提供持续动力，这将有利于一同推动碳化硅材料和器件的渗透应用。公司高品质碳化硅衬底产品已形成品牌优势。

  报告期内，公司与英飞凌签订了合作协议，公司将为英飞凌供应用来制造碳化硅半导体的高质量并且存在竞争力的6英寸碳化硅衬底和晶棒，第一阶段将侧重于6英寸碳化硅材料，但公司也将助力英飞凌向8英寸碳化硅晶圆过渡。该协议的供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。公司去年与某客户签订的13.93亿元的框架协议正在按照协议约定履行产品交付。

  公司是国内最早从事碳化硅半导体材料产业化的企业之一，具备清晰明确的战略目标，立足全球市场，完善和提升公司的产能布局。2022年以来公司加大了导电型碳化硅衬底产能建设，取得积极效果。一方面自2022年一季度以来，公司连续五个季度实现了季度收入环比增长，公司导电型产品的产能产量已经获得持续提升；另一方面，公司上海临港工厂2023年5月已经实现产品交付，在处于产量的快速爬坡阶段，且根据目前市场情况预计，原计划临港工厂年30万片导电型衬底的产能产量将提前实现。

  公司是国际上少数几家同时在导电型和半绝缘型碳化硅衬底产品领域均具有竞争力的企业。随公司新建上海工厂产能的逐步释放，预计公司在功率SiC领域将获得更大的市场影响力。

  公司是国内最早从事碳化硅半导体材料产业化的企业之一，具备领先的技术优势和产业化能力。在碳化硅长晶方面，公司具备拥有全自主的核心技术，实现了从2英寸到8英寸完全自主扩径，形成了从基础原理到技术、工艺的深入积累。

  2023年1-6月，公司研发费用8,980.84万元，继续加大前沿技术布局，持续加大研发投入，研发实力不断增强。

  公司近年来研发投入较大，研发与规模化生产形成良好的正循环积累，一方面公司工程化试验数据为技术和良率的持续改进提供了关键支持，也是产品质量领先的重要的条件；另一方面，公司在前瞻性技术发展趋势做了全方位布局。公司较早开展了8英寸产品制备。2022年初，公司公布了自主扩径制备的高品质8英寸衬底。在2023年Semicon论坛上，公司首席技术官高超博士报告了公司核心技术及前瞻性研发情况，通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，属于业内首创，也代表了公司领先的技术实力。

  2023年1-6月，公司围绕工艺创新、质量提升、智慧工厂等多方面开展技术创新，并积极推动知识产权保护和商业机密保护。截至2023年6月底，公司及下属子公司累计获得境内发明专利授权152项，实用新型专利授权324项，境外发明专利授权12项。

  本报告期内，公司先后荣获山东省新材料领军企业，济南市优秀企业等荣誉称号。

  随着公司经营规模逐步扩大，公司一方面加强生产管理的人才队伍建设，逐步的提升生产效率，优化生产流程，培养了一批具备现代化生产管理技能的人才。另一方面，秉承技术领先化、公司平台化、客户全球化的理念，公司慢慢地增加高端生产管理人员、研发技术人才的引进和培养。公司在产品开发的过程中，不断发掘和培养更多优秀人才，研发团队稳定健康发展。

  2023年1-6月，公司加强人才储备和培养，为新建产能顺利投产所招聘的人员数量较大，研发人员增加较快，整体薪酬支出增加。

  截至报告期末，公司研发人员151人，较上年同期增长61人。其中硕士、博士合计52人，占研发人员总数的34.44%。享受国务院特殊津贴专家两人。

  2023年5月，公司上海工厂交付仪式在临港顺利举行。博世集团和英飞凌公司代表，和来自法国、新加坡、台湾地区等国内外客户出席仪式并参观了新工厂。

  公司上海工厂启动产品交付开启了公司发展新的篇章。上海工厂使用先进的设计理念，率先打造碳化硅衬底领域智慧工厂，通过AI和数字化技术持续优化工艺，为产能提升打下重要基础。全球新能源汽车、绿色电力和储能等终端市场发展势头迅猛，下游应用领域对碳化硅衬底材料的需求呈现持续旺盛的趋势。

  2023年1-6月，公司继续秉持“先进品质持续”的经营理念，依托领先的技术优势，持续提升产能，满足日渐增长的市场需求，坚持追求卓越的产品的质量，推动碳化硅材料应用，始终为客户创造更大的价值。

  随着全球能源电气化、低碳化的发展的新趋势，碳化硅半导体材料和器件将发挥逐渐重要的作用。目前下游应用领域对碳化硅的需求旺盛，碳化硅材料和器件的渗透加速。碳化硅半导体领域将迎来长期持续增长的发展机会。公司全体员工将以强烈的使命感、高度的责任感，一致努力，务实创新，坚持以技术领先驱动企业长远发展。

  公司所处的半导体材料行业属于技术密集型行业，涉及热动力学、半导体物理、化学、计算机仿真模拟、机械、材料等多学科交叉知识的应用。宽禁带半导体产品具有研发周期长、研发难度高、研发投入大的特点。

  在半导体材料领域升级迭代的过程中，若公司产品研发技术创新无法持续满足市场对产品更新换代的需求或持续创造新兴事物的能力不足、无法跟进行业技术升级迭代，可能会受到其他具有竞争力的替代技术和产品的冲击，导致公司的技术和产品不足以满足市场需求，从而影响企业业绩的持续增长。

  公司加强研发投入，布局前沿技术，若公司高强度研发投入不能转化为产业化经验或为持续的产品的质量提升提供助力，或研发投入不足，将对公司持续发展产生不利影响。

  若公司相关核心技术内控制度不能得到一定效果执行，或者出现重大疏忽、舞弊等行为而导致公司核心技术泄露，公司的专利、专有技术或商业机密可能被盗用或不当使用，将对公司的核心竞争力产生负面影响。

  半导体材料行业对于专业人才尤其是研发人员的依赖程度较高，核心技术人才是公司生存和发展的重要基石，若公司核心技术人员流失或无法继续培养或招揽，将对公司的研发生产造成不利影响。

  报告期内，公司基本的产品为半绝缘型和导电型碳化硅衬底产品。碳化硅衬底产品大多数都用在新能源、新一代信息通信、微波射频等领域，相关领域下游有突出贡献的公司的集中度相比来说较高，且对衬底的需求较大。报告期内，公司前五大客户的销售额占2023年上半年销售总额的比例为51.88%，客户集中度较高。如果未来公司依赖上述客户不进行业务拓展，或新客户拓展没有到达预期，将对公司扩大经营产生不利影响。

  报告期内，公司向前五大原材料最终供应商的采购金额占报告期采购总额的58.71%，集中度相比来说较高。若公司无法寻找合适的替代供应商，一旦主要供应商业务经营发生不利变化、产能受限或合作伙伴关系紧张，可能会引起供应商不能足量及时出货，将对公司生产经营产生不利影响。

  公司正加大碳化硅半导体材料产能建设，以抓住新能源汽车、光伏、储能等领域对碳化硅半导体材料需求迅速增加的发展机遇，若公司产能产量提升跟不上市场需求的发展，没办法完成订单交付，将对公司经营规模的扩大造成不利影响。

  相较于成熟的硅片制造工艺，碳化硅衬底短期内依然会面临制备难度大、成本高昂的挑战。例如，目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与因碳化硅器件的优越性能带来的综合成本下降之间的关系。碳化硅衬底是产业链核心环节，若公司和产业内企业没办法持续降低碳化硅衬底成本，可能会引起整体行业发展不达预期，对公司的经营产生不利影响。

  截至2023年6月30日，公司合并口径累计未分配利润为-32,391.41万元，公司最近一期末存在累计未弥补亏损。

  由于碳化硅材料的持续研发需要大量投入，若公司未来因持续投入，或接着来进行股权激励等问题造成盈利能力变弱或者亏损，则可能会引起公司累计未弥补亏损持续为负，公司将没有办法进行利润分配，进而对投入资产的人的投资收益造成某些特定的程度不利影响。

  报告期内公司综合毛利率为11.30%。公司综合毛利率受生产所带来的成本、产品售价、产品结构等因素影响。随着行业技术的发展和市场之间的竞争的加剧，公司一定要依据市场需求不断进行技术的迭代升级和创新。若公司未能正确判断下游需求变化，或公司技术实力停滞不前，或公司未能有效控制产品成本等，将可能会引起公司毛利率出现波动甚至下降，进而对公司经营造成不利影响。

  报告期末，公司存货账面价值为54,238.92万元，占期末流动资产的比例为21.32%。报告期内，公司为应对产能产量扩张的需求，对主要原材料以及辅料进行储备，导致报告期末存货金额较大，若公司工艺技术进步导致储备的材料不足以满足生产需求，将产生存货跌价损失，进而对公司经营业绩造成不利影响。同时，由于国内碳化硅衬底行业尚处于快速发展阶段，下游客户对衬底参数指标的要求可能随应用需求的变化而更新，若未来下游客户的真实需求、市场之间的竞争格局发生明显的变化，或公司不能有效拓宽销售经营渠道、优化库存管理，公司未及时销售的产成品可能会引起跌价损失，进而对公司经营业绩造成不利影响。

  公司不断加大研发投入力度，报告期内，公司研发费用金额为8,980.84万元，占据营业收入的比例为20.50%，金额及占比较高，且公司研发投入仍保持快速增长态势。公司持续加大大尺寸衬底及导电型衬底等新产品的研发，研发投入能否形成研发成果具有一定不确定性，研发成果向经济效益的转化亦存在一定的滞后性，如公司短期内大规模的研发投入未能产生预期效益，可能对经营业绩带来不利影响。

  国家出台了《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》、《“战略性先进电子材料”重点专项2020年度项目》、《中华人民共和国国民经济与社会持续健康发展第十四个五年规划和2035年远大目标纲要》等一系列政策对宽禁带半导体行业进行支持和鼓励。

  同时，为防范半导体行业投资过热等风险，“国务院关于促进集成电路产业健康发展的指导意见”要求对集成电路重点项目实施项目窗口指导，强化高风险项目管理。

  若国家降低对宽禁带半导体产业扶持力度，或者国家出台进一步的约束性产业政策或窗口指导等措施，或公司拟投资项目被纳入约束性产业政策监管调控范围，进而导致公司无法扩大生产规模，将对公司运营、持续盈利能力及成长性产生不利影响。

  由于宽禁带半导体材料优异的性能，其重要性日益凸显，国内外正加大对宽禁带半导体行业的投资，随着行业内参与者的增加，行业竞争加剧，若公司不能通过技术领先、市场领先等举措持续保持先发优势，将对公司未来的发展产生不利影响。

  报告期内，公司计入其他收益的政府救助金额为2,773.93万元，占同期公司收入的比例为6.33%。若未来公司不能继续获得政府补助或获得的政府补助减少，将对公司业绩产生不利影响。

  公司还将面临宏观经济和行业波动、产业政策变化、市场之间的竞争加剧等因素带来的经营风险。若未来宏观经济疲软、下游市场需求下滑、国家相关产业政策支持力度减弱、或国际先进企业和国内新进企业的双重竞争态势愈发激烈，都将对公司的生产经营产生不利影响。

  证券之星估值分析提示上海临港盈利能力平平，未来营收成长性一般。综合基本面各维度看，股价合理。更多

  证券之星估值分析提示天岳先进盈利能力平平，未来营收成长性较差。综合基本面各维度看，股价偏高。更多

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